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imcenterMicredT3STER

状态热定性半导体设备高精度可重复热瞬式测试技术与结构函数分析

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表示SimcenterT3STER热瞬式测试

希姆森特MicredT3STER

SimcenterMicredT3STER高级非破坏性瞬态热测试器,用于打包半导体设备(diodes、BJTs、PowerMOSFETs、IGBTs、PowerLEDs)和多维设备热定性测量真热瞬态响应比稳态方法高效摄氏0.01摄氏度达一微秒分辨率结构函数后处理响应图显示热流路径包特征的热抗和电容SimcenterMicredT3STER系统是一个理想前后检测故障工具可导出热模型标定,支撑热设计努力的精度

启用快速结果只测试
imcenterMicredT3STER很容易快速使用生成完全可复制结果, 所以每次测试只需执行一次simcenterMicredT3STER测试打包IC使用电联供电感知,快速重复结果并消除多项测试需求组件可原地测试,测试结果可用作紧热模型或校准详细模型

测试所有类型打包半导体
几乎所有类型的打包半导体都可测试,从二极管和晶体管测试到大型和高度复杂数字ICs测试,包括机上安装的部件,甚至打包成产品

简言之,电脉冲注入组件 温度响应记录非常精确半导体本身用温度敏感参数对死面如晶体管或二极管结构施压并感知温度响应

金宝博滚球专家访问可靠软件
金宝博滚球专家软件SimcenterMicredT3STER提供大量求解值金宝博滚球专家这是因为SimcenterMicredT3STER软件可以取温度对时间跟踪并转换成结构函数分辨包特征,例如死附图可检测到,使SimcenterMicredT3STER成为产品开发中极佳诊断工具simcenterFlotherm详细3D热模型编译工作时使用,创建芯片包热模型预测时空温度99

电子冷却模拟实现更高精度并进行测量和标定

白纸考虑高精度因素 模拟微量和连接热散IGBT模块热测量使用SimcenterT3STER和模型标定并用SimcenterFlotherm热模拟

imcenterT3STER能力

热测试

热特征硬件解决方案组提供组件和系统供应商能力准确高效测试、测量和热特征半导体集成电路包、单数列LEDs、堆叠多维包件、电源电子模块、热接口属性和全电子系统

硬件解决方案直接测量包装半导体设备的实际加热或冷却曲线持续实时,而不是人工编译从数项单测试结果以这种方式测量真热瞬态响应远比稳定状态方法更高效和精确,导致更精确热度度比稳定状态方法只需要对采样进行一次测量,而不是重复测量和平均与稳态方法相同计算

更多信息热测试

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