口径计算光刻
低的K1光刻工艺提高了RET在纳米设计中应用的复杂性和数据量。45纳米及以上，更复杂的模型和通过过程窗口的修正和验证需求显著增加了计算负担。石版印刷的挑战和与高级工艺节点相关的计算复杂性都需要计算光刻软件和硬件的高级功能。金宝博滚球专家
核心创新
Calibre®计算光刻解决方案通过核心创新来解决这些挑战，确保在多个工艺条件下的图像保真度，在制造过程中提供更强的稳定性和可靠性。
Calibre解决方案提供一流的精度，速度，以及拥有成本。简化的分级处理使Calibre能够利用设计分级来提高周转时间，计算效率，与扁平加工工具相比，吞吐量更高。硬件协同处理器加速支持，基于强大的多核电池/B.E.数字处理器，进一步缩短周转时间，同时降低了计算的总成本。
资源
相关产品
校准TDOPC™
Calibre TDOPC通过两个Calibre命令提供表驱动的OPC功能：
- opcBias使基于简单值表的行宽快速基于规则的opc变得容易。
- opclineend可以很容易地应用线端处理，比如锤头，基于一个简单的值表。
Calibre打印图像™
Calibre打印图像产生一个完整的芯片，模拟硅形状的批量输出，并对这些形状进行简化的DRC检查，所谓““硅DRC”。模拟是基于光学和工艺模型开发的测量制造过程的特点。模拟器处理PSM效果，包括衰减的PSM旁瓣检测和强烈的PSM相位不平衡。Calibre PrintImage在新的GDSII输出层中输出模拟硅形状。
口径兽人
Calibre ORC（光学和工艺规则检查）为集成电路制造提供全芯片批量检查。”印刷适性问题，称为EPE（边缘放置错误）。Calibre ORC使用根据制造工艺特性开发的校准光学和工艺模型。Calibre ORC预测设计中感兴趣的硅位置1d和2d结构（例如行结束，角，或用户定义的结构）。如果该类型结构的EPE大于用户设置的公差，Calibre ORC创建一个可视的错误框在新的gdsii输出层的边缘，以及包括统计在内的总结报告。Calibre ORC通过Calibre RVE？（结果查看环境）与流行的布局编辑器集成，便于查看和调试。
校准PSMGate™
Calibre PSMGate提供全芯片，使用现有的制造设备来增加亚波长光刻的成品率和芯片速度。Calibre PSMGate对布局进行了更改，使栅极特性比制造中使用的光波长小得多。calibre psmgate使用calibre opcpro”相位感知基于模型的OPC算法，用于纠正通常在相变和线端附近发现的相位畸变。一些Calibre PSMGate的主要功能包括：
- 许多类型的PSM技术都可以分配和验证，如一/二次曝光和二/三/四相法。
- 虽然今天主要用于半到三分之一波长大小的门，分配算法也可以应用于其他选定的层/结构。
- 可用于全层PSM，包括闸门周围的关键互连。
- 使用Calibre布局处理引擎提供层派生，布尔运算，以及相位冲突检查，这对于一个强或弱的完整的PSM流是必不可少的。
- 支持基于形状的检查，远程“色彩能力以及副瓣检测和校正。
Calibre LithView™
Calibre LithView是Calibre Workbench的一个子集，用于需要确认布局或OPC模型结果但不生成新模型的用户。它提供了作为工作台的所有功能，除了模型创建和测试模式生成。
