口径掩模过程校正
接下来的几个集成电路技术节点将比第一个集成电路以来的任何其他过渡都更具挑战性。直到32纳米节点，使用193纳米光刻技术制作掩模的变形很小，而且影响很小，因为掩模特征比模具上的实际特征大四倍。传统的OPC主要解决了晶圆图像传输问题，仅将掩模制作效果作为整个OPC模型的一部分。
但在32/22纳米时，掩模制作受到的成像限制与130纳米节点以来影响晶片光刻的成像限制相同。特别敏感的区域包括狭窄的特征和角落，腐蚀效应引起的残余邻近度和线性效应，以及在接触层和线端的圆角。精确的32/22纳米掩模制作现在需要专门的光学邻近校正掩模制作步骤。而不是将掩模误差集中到整个OPC模型中，将掩模校正与晶圆校正分离，简化了校正过程，提高了整体结果的质量。
多功能解决方案
Calibre®掩模过程校正解决方案采用了Mentor基于模型的OPC技术，并专门为电子束掩模写入程序开发了优化。新的校正和建模能力，包括基于密度和可变蚀刻偏差建模，改善高级节点的掩模CD线性度和均匀性。该解决方案还包括与Calibre Workbench™集成的掩模模型构建和自定义工具。为了完善导师的完整面膜合成解决方案，Calibre平台包括用于屏蔽规则检查和签核的工具，压裂，以及主电子束掩模写入设备的数据转换。
