基于模型的亚30纳米节点器件双偶极光刻

白皮书

随着光学光刻技术向SUB-30nm技术节点的发展,讨论了光刻技术的各种备选方案。双偶极子光刻技术(DDL)与双模式光刻技术(DPL)相比,具有工艺简单、掩模成本低的优点,是一种主要的光刻候选技术。然而,此外,还出现了新的DDL要求,以提高工艺裕度并降低掩模增强误差系数(MEEF)。这是为了最大限度地提高分辨率和图像对比度。DDL中有两种方法,即基于模型和基于规则的DDL。基于规则的DDL,其中模式被简单的规则分解,如x和y方向规则,显示二维(2d)图案中的低工艺裕度,即。,线端到线端,线端到钢筋和半隔离钢筋。在本文中,我们首先对基于模型的DDL(MBDDL)方法进行了各种分析。我们的目标是最大化二维模式的处理裕度。

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